檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "GaN".ekeyword (精準) and year="95"
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本實驗是先分別於三種氣氛下以TMGa/Cp2Mg/NH3之MOCVD系統成長p型氮化鎵薄膜。首先,在全氮氣氣氛下成長時,發現成長壓力為75 torr時,可以成長出表面較為平坦的薄膜,但因薄膜電性仍未…
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本研究利用有機金屬化學氣相沈積方式,以三甲基鎵(TMGa)及氨氣(NH3)為原料,分別使用鍍上金觸媒的Si(111)、Ge奈米線及ZnO奈米柱為基材來沈積氮化鎵。在鍍上1 nm厚度金觸媒於Si(11…